SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
·开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应· 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能和生产效率都有所提升· “加强AI领域存储竞争实力，跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’”
海力士
闪存突破300层！
SK海力士表示，从2023年6月量产当前最高的上一代238层堆叠NAND Flash闪存，并供应于市场之后，现在又率先推出了超过300层堆栈的NAND Flash 存储器，突破了技术界限。SK海力士计划从2025年上半年起，开始向客户提供321层堆栈的产品，以
SK海力士量产321层顶级闪存，性能飙升13%！
SK海力士公司近期宣布，其全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存已成功进入量产阶段。这款闪存不仅在存储层级上达到了前所未有的高度，还在性能上实现了显著提升。
SK海力士引领科技新高度，321层NAND闪存量产开启存储新篇章
据悉，自2023年6月成功量产238层NAND闪存以来，SK海力士持续引领存储技术的前沿发展。此次推出的321层NAND闪存，不仅标志着技术层面的飞跃，更是全球首次实现超过300层堆叠的NAND闪存大规模生产。
SK海力士开始量产全球首个321层NAND闪存芯片
NAND闪存是一种非易失性存储介质，广泛用于存储卡、USB驱动器、固态驱动器（SSDs）和智能手机中，用于一般存储和传输数据。它垂直堆叠存储单元，分为单层、多层、三层和四层存储单元。
全球首款、突破300层！SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产
SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。
SK海力士量产321层NAND
SK海力士宣布已经开始量产全球首款基于三级单元的321层4D NAND闪存，容量为1Tb。
SK海力士突破技术壁垒，量产全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存
SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功实现了全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存的量产。这一成就标志着NAND闪存技术迈入了一个全新的高度。
SK海力士宣布开始量产321层NAND闪存
11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。SK海力士表示，计划从明年上半年开始向客户供应321层产品。
SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存
SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。”
SK海力士开始量产321层NAND闪存
11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层产品。
特斯拉致力开发AI芯片，传要三星、SK海力士提供HBM4样本
韩媒传出，特斯拉（Tesla Inc.）为了开发自有的AI芯片，已要求三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK海力士（SK Hynix Inc.）提供第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”样本。
卷死三星、SK海力士们？国产DDR4内存，比友商低50%
而不管是DRAM，还是NAND，中国厂商的份额不足5%，几乎全部被国外厂商垄断，三星、SK海力士、美光这三大厂商，就拿走了全球存储芯片80%以上的市场份额。
原厂在中国销售额翻了一番
两家公司将HBM和 DDR5 等高价值产品的销售扩大到美国的AI大型科技和数据中心，产生了重大影响。